- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Одиночные силовые полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
ТУ: АЕЯР.432140.764ТУ; РД 11 0723-89, АЕЯР.432140.764ТУ, Ц23.365.008ТУ
Производители: КРИП ТЕХНО, FOTON
2П307Г
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Тип
n
Технология
Номинальный ток стока при 25 С
30mA
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
КТ-1-12
Типоразмер
Мощность не более
0,25W
Напряжение СИ
25V
Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
1,5 / 6,0V
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
Vgs_Max
Особенности
Рассеиваемая мощность не более
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
Входная емкость при напряжении ЗИ
5,0pF
| Серия | Производитель | Категория | Производство | Документ | ТУ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2П307Г-5/ДА КАНАЛ N-ТИПА | КРИП ТЕХНО | ОТК | Производится | АЕЯР.432140.764ТУ; РД 11 0723-89 | |
| 2П307Г/ДА КАНАЛ N-ТИПА | КРИП ТЕХНО | ОТК | Производится | АЕЯР.432140.764ТУ | |
| 2П307Г канал N-типа | FOTON | ВП | Производится | Ц23.365.008ТУ |
| MPN | Серия | Описание | Напряжение СИ | Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds | Vgs_Max | Особенности | Рассеиваемая мощность не более | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Входная емкость при напряжении ЗИ |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
