- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Одиночные силовые полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
Производитель: EPC
Описание: TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип
N-Channel
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Номинальный ток стока при 25 С
1A (Ta)
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Die
Типоразмер
Die
Мощность не более
Напряжение СИ
60V
Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On
5V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
2.5V @ 800µA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
1.15nC @ 5V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
115pF @ 30V
Vgs_Max
+6V, -4V
Особенности
-
Рассеиваемая мощность не более
-
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
45 mOhm @ 1A, 5V
Входная емкость при напряжении ЗИ
Выписки ТУ, Datasheet
![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Напряжение СИ | Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds | Vgs_Max | Особенности | Рассеиваемая мощность не более | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Входная емкость при напряжении ЗИ |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!