Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Тип
N-Channel
Технология
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Номинальный ток стока при 25 С
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
3-PQFN (8x8)
Типоразмер
Мощность не более
Напряжение СИ
650V
Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On
10V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
4.8V @ 700µA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
9.3nC @ 10V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
600pF @ 400V
Vgs_Max
±20V
Особенности
-
Рассеиваемая мощность не более
96W (Tc)
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
85mOhm @ 16A, 10V
Входная емкость при напряжении ЗИ
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF| MPN | Серия | Описание | Напряжение СИ | Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds | Vgs_Max | Особенности | Рассеиваемая мощность не более | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Входная емкость при напряжении ЗИ |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
