- Component
- Полупроводники / Микросхемы интегральные / Микросхемы управления питанием / Драйверы для IGBT и MOSFET транзисторов
Manufacturer:
Description: IC HI-SIDE MOSFET SWITCH DIP8
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tube
Напряжение питания
13 V ~ 20 V
Тип входного сигнала
Non-Inverting
Типовое время нарастания спада
70ns, 35ns
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 125°C (TA)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
8-DIP
Driven_Configuration
High-Side or Low-Side
Направление канала
Independent
Number_of_Drivers
2
Gate_Type
IGBT, N-Channel MOSFET
Logic_Voltage___VIL_VIH
0.8V, 2.5V
Current___Peak_Output_Source_Sink
300mA, 600mA
Напряжение верхнего плеча
600V
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Driven_Configuration | Направление канала | Number_of_Drivers | Gate_Type | Logic_Voltage___VIL_VIH | Current___Peak_Output_Source_Sink | Напряжение верхнего плеча |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!