- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Наборы силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET)
Производитель:
Описание: GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
Тип
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Номинальный ток стока при 25 С
1.7A, 500mA
Мощность не более
-
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
9-VFBGA
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
9-BGA (1.35x1.35)
Особенности
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение СИ
60V, 100V
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Выписки ТУ, Datasheet
![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!