- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Тип транзистора
pnp
Ток коллектора не более
50ma
Напряжение пробоя КЭ не более
60V
Мощность не более
50mW
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
б/к, мод. 1
Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора
0,45V @ 20mA
Ток отсечки не более
-
Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ
40 / 120
Предельная частота
5,0MHz
| Серия | Производитель | Категория | Производство | Документ | ТУ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2Т214Г-1 P-N-P | Прохладненский завод полупроводниковых приборов | ВП | Производится | аА0.339.370ТУ | |
| 2Т214Г-1 P-N-P | ПЗПП (Прохладненский завод полупроводниковых приборов) | ОТК | Производится | аА0.339.370ТУ | |
| 2Т214Г-1/ДА P-N-P | Далекс | ВП | Производится | АЕЯР.432140.524ТУ | |
| 2Т214Г-1/ДА P-N-P | КРИП ТЕХНО | ОТК | Производится | АЕЯР.432140.524ТУ | |
| 2Т214Г-1Н/ДА P-N-P | КРИП ТЕХНО | ОТК | Производится | АЕЯР.432140.524ТУ; РМ 11 091.926-93 | |
| 2Т214Г-1/ПК P-N-P | Арсенал КрЗПП | ВП | Производится | АЕЯР.432140.460ТУ |
| MPN | Серия | Описание | Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора | Ток отсечки не более | Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ | Предельная частота |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
