- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
ТУ: ЩЫ0.336.032ТУ, ЩЫ0.336.032ТУ; РМ 11 091.926-93, ЩЫ0.336.032ТУ; РМ 11 091.926, ЩЫ0.336.032ТУ; РМ 11 091.926-93-93, АЕЯР.432140.270ТУ; РМ 11 091.926, АЕЯР.432140.346ТУ; РМ 11 091.926, АЕЯР.432140.270ТУ, АЕЯР.432140.346ТУ
Производители: Не установлен, Терь (Микроэлектроника) ликвидировано, КРИП ТЕХНО, Арсенал КрЗПП, Экситон
2Т629АМ-2
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Тип транзистора
pnp
Ток коллектора не более
1000A
Напряжение пробоя КЭ не более
50V
Мощность не более
1,0W
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
б/к, мод. 2
Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора
0,8V @ 500mA
Ток отсечки не более
5,0µA
Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ
26 / 80MHz
Предельная частота
250W
| Серия | Производитель | Категория | Производство | Документ | ТУ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2Т629АМ-2 P-N-P | Не установлен | ОТК | ОКР | ЩЫ0.336.032ТУ | |
| 2Т629АМ-2 P-N-P | Терь (Микроэлектроника) ликвидировано | ВП | Производится | ЩЫ0.336.032ТУ | |
| 2Т629АМ-2 P-N-P | КРИП ТЕХНО | ОТК | Производится | ЩЫ0.336.032ТУ | |
| 2Т629АМ-2Н P-N-P | Не установлен | ОТК | ОКР | ЩЫ0.336.032ТУ; РМ 11 091.926-93 | |
| 2Т629АМ-2Н P-N-P | Терь (Микроэлектроника) ликвидировано | ВП | Производится | ЩЫ0.336.032ТУ; РМ 11 091.926 | |
| 2Т629АМ-2Н P-N-P | КРИП ТЕХНО | ОТК | Производится | ЩЫ0.336.032ТУ; РМ 11 091.926-93-93 | |
| 2Т629АМ-2Н/ ПК P-N-P | Арсенал КрЗПП | ВП | Производится | АЕЯР.432140.270ТУ; РМ 11 091.926 | |
| 2Т629АМ-2Н/ ЭП P-N-P | Экситон | ВП | Производится | АЕЯР.432140.346ТУ; РМ 11 091.926 | |
| 2Т629АМ-2/ПК P-N-P | Арсенал КрЗПП | ВП | Производится | АЕЯР.432140.270ТУ | |
| 2Т629АМ-2/ЭП P-N-P | Экситон | ВП | Производится | АЕЯР.432140.346ТУ |
| MPN | Серия | Описание | Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора | Ток отсечки не более | Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ | Предельная частота |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
