- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Тип транзистора
npn
Ток коллектора не более
1000A
Напряжение пробоя КЭ не более
54V
Мощность не более
1,0W
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
б/к, мод. 2
Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора
0,7V @ 500mA
Ток отсечки не более
30µA
Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ
20 / 120MHz
Предельная частота
200W
| Серия | Производитель | Категория | Производство | Документ | ТУ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2Т625БМ-2 N-P-N | Интеграл | ВП | Производится | Я53.365.022-03ТУ | |
| 2Т625БМ-2Н N-P-N | Интеграл | ВП | Производится | Я53.365.022-03ТУ;РМ 11 091.926 |
| MPN | Серия | Описание | Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора | Ток отсечки не более | Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ | Предельная частота |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
