- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Напряжение пробоя КЭ не более
800V
Ток коллектора не более
2,0A
Мощность не более
10W
Тип входного сигнала
Параметры теста
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
КТ-2-7
Тип
Импульсный ток коллектора
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
Потери на переключение
Заряд затвора
Время задержки переключения при 25 С
Время обратного восстановления
Серия | Производитель | Категория | Производство | Документ | ТУ |
---|---|---|---|---|---|
2Т506А1 N-P-N | Группа Кремний Эл | ОТК | Производится | аА0.339.318ТУ | |
2Т506А-5 N-P-N | Группа Кремний Эл | ВП | Производится | аА0.339.318ТУ | |
2Т506А N-P-N | Группа Кремний Эл | ВП | Производится | аА0.339.318ТУ | |
2Т506А ОСМ N-P-N | Группа Кремний Эл | ВП | Производится | аА0.339.318ТУ; П0.070.052 |
MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!