- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Напряжение пробоя КЭ не более
800V
Ток коллектора не более
2,0A
Мощность не более
10W
Тип входного сигнала
Параметры теста
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
КТ-2-7
Тип
Импульсный ток коллектора
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
Потери на переключение
Заряд затвора
Время задержки переключения при 25 С
Время обратного восстановления
Series | Manufacturer | Category | Production | Document | ТУ |
---|---|---|---|---|---|
2Т506А1 N-P-N | Группа Кремний Эл | ОТК | Produced by | аА0.339.318ТУ | |
2Т506А-5 N-P-N | Группа Кремний Эл | ВП | Produced by | аА0.339.318ТУ | |
2Т506А N-P-N | Группа Кремний Эл | ВП | Produced by | аА0.339.318ТУ | |
2Т506А ОСМ N-P-N | Группа Кремний Эл | ВП | Produced by | аА0.339.318ТУ; П0.070.052 |
MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!