- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Напряжение пробоя КЭ не более
*28V
Ток коллектора не более
0,18A
Мощность не более
1,5W
Тип входного сигнала
Параметры теста
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
б/к, мод. 2
Тип
Импульсный ток коллектора
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
Потери на переключение
Заряд затвора
Время задержки переключения при 25 С
Время обратного восстановления
| Серия | Производитель | Категория | Производство | Документ | ТУ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2Т938А-2 N-P-N | Интеграл | ВП | Производится | аА0.339.106ТУ/Д2 | |
| 2Т938А-2Н N-P-N | Интеграл | ВП | Производится | аА0.339.106ТУ; РМ 11 091.926 |
| MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
