- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Напряжение пробоя КЭ не более
55V
Ток коллектора не более
1,0A
Мощность не более
8,0W
Тип входного сигнала
Параметры теста
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
КТ-16-2
Тип
Импульсный ток коллектора
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
Потери на переключение
Заряд затвора
Время задержки переключения при 25 С
Время обратного восстановления
| Серия | Производитель | Категория | Производство | Документ | ТУ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2Т913Б N-P-N | Интеграл | ВП | Производится | Я53.365.010ТУ | |
| 2Т913Б ОСМ N-P-N | Интеграл | ВП | Производится | Я53.365.010ТУ; П0.070.052 |
| MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
