Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tube
Тип
N-Channel
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Номинальный ток стока при 25 С
36A (Tc)
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 175°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-247
Типоразмер
TO-247-3
Мощность не более
Напряжение СИ
650V
Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On
8V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
2.6V @ 700µA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
42nC @ 8V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
2200pF @ 400V
Vgs_Max
±18V
Особенности
-
Рассеиваемая мощность не более
125W (Tc)
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
63 mOhm @ 24A, 8V
Входная емкость при напряжении ЗИ
Technical specifications statements, Datasheet
Datasheet
View PDF| MPN | Серия | Описание | Напряжение СИ | Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds | Vgs_Max | Особенности | Рассеиваемая мощность не более | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Входная емкость при напряжении ЗИ |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
