Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Тип
N-Channel
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Номинальный ток стока при 25 С
35A (Tc)
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
-
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-247-4L
Типоразмер
TO-247-4
Мощность не более
Напряжение СИ
1000V (1kV)
Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On
15V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
3.5V @ 5mA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
35nC @ 15V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
660pF @ 600V
Vgs_Max
+19V, -8V
Особенности
-
Рассеиваемая мощность не более
113.5W (Tc)
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
78 mOhm @ 20A, 15V
Входная емкость при напряжении ЗИ
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF| MPN | Серия | Описание | Напряжение СИ | Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds | Vgs_Max | Особенности | Рассеиваемая мощность не более | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Входная емкость при напряжении ЗИ |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
