Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Bulk
Тип
N-Channel
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Номинальный ток стока при 25 С
5.3A (Tc)
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
D2PAK (7-Lead)
Типоразмер
TO-263-7 (Straight Leads)
Мощность не более
Напряжение СИ
1700V (1.7kV)
Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On
20V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
3.1V @ 500µA (Typ)
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
13nC @ 20V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
200pF @ 1000V
Vgs_Max
+25V, -10V
Особенности
-
Рассеиваемая мощность не более
78W (Tc)
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
1.4 Ohm @ 2A, 20V
Входная емкость при напряжении ЗИ
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF| MPN | Серия | Описание | Напряжение СИ | Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds | Vgs_Max | Особенности | Рассеиваемая мощность не более | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Входная емкость при напряжении ЗИ |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
