- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Одиночные силовые полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
Manufacturer: Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Description: MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
-
Тип
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Номинальный ток стока при 25 С
-
Диапазон рабочих температур
-
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
-
Типоразмер
-
Мощность не более
Напряжение СИ
55V
Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On
-
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
2.4V @ 100µA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
4.3nC @ 5V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
290pF @ 28V
Vgs_Max
-
Особенности
-
Рассеиваемая мощность не более
50W (Tj)
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
400 mOhm @ 100mA, 5V
Входная емкость при напряжении ЗИ
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Напряжение СИ | Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds | Vgs_Max | Особенности | Рассеиваемая мощность не более | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Входная емкость при напряжении ЗИ |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!