- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Одиночные силовые полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
TPC8115(TE12L,Q,M)
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Номинальный ток стока при 25 С
10A (Ta)
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
8-SOP (5.5x6.0)
Типоразмер
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Мощность не более
Напряжение СИ
20V
Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On
-
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
1.2V @ 200µA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
115nC @ 5V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
9130pF @ 10V
Vgs_Max
-
Особенности
-
Рассеиваемая мощность не более
1W (Ta)
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
10 mOhm @ 5A, 4.5V
Входная емкость при напряжении ЗИ
Выписки ТУ, Datasheet

Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
ПосмотретьMPN | Серия | Описание | Напряжение СИ | Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds | Vgs_Max | Особенности | Рассеиваемая мощность не более | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Входная емкость при напряжении ЗИ |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!