- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Одиночные силовые полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
Производитель: Vishay Siliconix
Описание: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Тип
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Номинальный ток стока при 25 С
1.3A (Ta)
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 175°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Типоразмер
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Мощность не более
Напряжение СИ
100V
Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On
-
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
2V @ 250µA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
12nC @ 5V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
490pF @ 25V
Vgs_Max
-
Особенности
-
Рассеиваемая мощность не более
1.3W (Ta)
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
270 mOhm @ 780mA, 5V
Входная емкость при напряжении ЗИ
Выписки ТУ, Datasheet
![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Напряжение СИ | Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds | Vgs_Max | Особенности | Рассеиваемая мощность не более | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Входная емкость при напряжении ЗИ |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!