- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Одиночные силовые полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
Производитель: Vishay Siliconix
Описание: MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Тип
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Номинальный ток стока при 25 С
600mA (Ta)
Диапазон рабочих температур
-
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Типоразмер
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Мощность не более
Напряжение СИ
60V
Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On
-
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
-
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
15nC @ 15V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
250pF @ 25V
Vgs_Max
-
Особенности
-
Рассеиваемая мощность не более
-
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
1.6 Ohm @ 300mA, 10V
Входная емкость при напряжении ЗИ
| MPN | Серия | Описание | Напряжение СИ | Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds | Vgs_Max | Особенности | Рассеиваемая мощность не более | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Входная емкость при напряжении ЗИ |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
