SSM3J306T(TE85L,F)
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Номинальный ток стока при 25 С
2.4A (Ta)
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TSM
Типоразмер
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Мощность не более
Напряжение СИ
30V
Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On
4V, 10V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
-
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
2.5nC @ 15V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
280pF @ 15V
Vgs_Max
±20V
Особенности
-
Рассеиваемая мощность не более
700mW (Ta)
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
117 mOhm @ 1A, 10V
Входная емкость при напряжении ЗИ
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
Посмотреть| MPN | Серия | Описание | Напряжение СИ | Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds | Vgs_Max | Особенности | Рассеиваемая мощность не более | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Входная емкость при напряжении ЗИ |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
