- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Одиночные силовые полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
TK100E08N1,S1X
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Тип
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Номинальный ток стока при 25 С
100A (Ta)
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-220
Типоразмер
TO-220-3
Мощность не более
Напряжение СИ
80V
Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On
10V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
4V @ 1mA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
130nC @ 10V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
9000pF @ 40V
Vgs_Max
±20V
Особенности
-
Рассеиваемая мощность не более
255W (Tc)
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
3.2 mOhm @ 50A, 10V
Входная емкость при напряжении ЗИ
Выписки ТУ, Datasheet
![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Datasheet
Посмотреть PDF![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Библиотека САПР / Altium Designer
ПосмотретьMPN | Серия | Описание | Напряжение СИ | Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds | Vgs_Max | Особенности | Рассеиваемая мощность не более | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Входная емкость при напряжении ЗИ |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!