- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Одиночные силовые полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
Производитель: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Номинальный ток стока при 25 С
3.5A (Ta), 22.5A (Tc)
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
PowerFlat™ (8x8) HV
Типоразмер
4-PowerFlat™ HV
Мощность не более
Напряжение СИ
650V
Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On
10V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
5V @ 250µA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
71nC @ 10V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
3000pF @ 100V
Vgs_Max
±25V
Особенности
-
Рассеиваемая мощность не более
2.8W (Ta), 150W (Tc)
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
105 mOhm @ 12.5A, 10V
Входная емкость при напряжении ЗИ
Выписки ТУ, Datasheet
![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Datasheet
Посмотреть PDF![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Библиотека САПР / Altium Designer
ПосмотретьMPN | Серия | Описание | Напряжение СИ | Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds | Vgs_Max | Особенности | Рассеиваемая мощность не более | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Входная емкость при напряжении ЗИ |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!