- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Наборы силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET)
Производитель: EPC
Описание: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tray
Тип
2 N-Channel (Half Bridge)
Номинальный ток стока при 25 С
9.5A, 38A
Мощность не более
-
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
Die
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Die
Особенности
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение СИ
30V
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
8 mOhm @ 25A, 5V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
2.5V @ 4mA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
3.5nC @ 15V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
380pF @ 15V
Выписки ТУ, Datasheet
![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!