Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Номинальный ток стока при 25 С
1.7A, 500mA
Мощность не более
-
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
Die
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Die
Особенности
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение СИ
60V, 100V
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
190 mOhm @ 2.5A, 5V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
2.5V @ 200µA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
0.22nC @ 5V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
22pF @ 30V
Technical specifications statements, Datasheet
Datasheet
View PDF| MPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
