4N35(SHORT,F)
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tube
Количество каналов
1
Напряжение изоляции
2500Vrms
Коэффициент усиления по току не менее
40% @ 10mA
Коэффициент усиления по току не более
-
Типовое время включения выключения
3µs, 3µs
Типовое время нарастания спада
-
Тип входного сигнала
DC
Выходной интерфейс
Transistor with Base
Выходное напряжение не более
30V
Выходной ток на канал
100mA
Типовое прямое напряжение
1.15V
Выпрямленный ток не более
60mA
Напряжение насыщения не более
300mV
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 100°C
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
6-DIP (0.300", 7.62mm)
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
6-DIP
| MPN | Серия | Описание |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
