- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Manufacturer: Rohm Semiconductor
Description: IGBT
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Напряжение пробоя КЭ не более
650V
Ток коллектора не более
48A
Мощность не более
194W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 175°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Тип
Trench Field Stop
Импульсный ток коллектора
75A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.1V @ 15V, 25A
Потери на переключение
-
Заряд затвора
49nC
Время задержки переключения при 25 С
Время обратного восстановления
58ns
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!