- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
65A
Мощность не более
148W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 175°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-247-3
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Тип
Trench Field Stop
Импульсный ток коллектора
160A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
1.8V @ 15V, 40A
Потери на переключение
1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
Заряд затвора
98nC
Время задержки переключения при 25 С
Время обратного восстановления
58ns
Выписки ТУ, Datasheet
![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!