- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBTs
Manufacturer: ON Semiconductor
Description: IGBT MODULE 650V 33A 135W
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Схема включения
Half Bridge Inverter
Напряжение пробоя КЭ не более
650V
Ток коллектора не более
33A
Мощность не более
135W
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
-
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
-
Тип
-
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
-
Ток отсечки не более
-
Входная емкость при напряжении КЭ
4.86nF @ 400V
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
No
MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!