- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Наборы силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET)
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Тип
N and P-Channel
Номинальный ток стока при 25 С
Мощность не более
150mW
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Особенности
Logic Level Gate
Напряжение СИ
20V
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
1.1V @ 250µA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
-
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
120pF, 113pF @ 16V
Выписки ТУ, Datasheet
![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!