Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток коллектора не более
100mA
Напряжение пробоя КЭ не более
50V
Мощность не более
300mW
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Сопротивление резистора в цепи базы R1 Ом
Сопротивление резистора в цепи эмиттера R2 Ом
Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ
100 @ 1mA, 5V
Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора
300mV @ 500µA, 5mA
Ток отсечки не более
500nA (ICBO)
Предельная частота
250MHz
Technical specifications statements, Datasheet
Datasheet
View PDF| MPN | Серия | Описание | Сопротивление резистора в цепи базы R1 Ом | Сопротивление резистора в цепи эмиттера R2 Ом | Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ | Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора | Ток отсечки не более | Предельная частота |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
