- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
-
Напряжение пробоя КЭ не более
650V
Ток коллектора не более
95A
Мощность не более
276W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 175°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-247-3
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-247N
Тип
Trench Field Stop
Импульсный ток коллектора
200A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
1.9V @ 15V, 50A
Потери на переключение
1.17mJ (on), 940µJ (off)
Заряд затвора
104nC
Время задержки переключения при 25 С
41ns/142ns
Время обратного восстановления
-
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!