- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Наборы силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET)
Производитель:
Описание: MOSFET 2 N-CH 20V 10.1A 4QFN
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Тип
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Номинальный ток стока при 25 С
10.1A (Ta)
Мощность не более
3.6W
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
4-VDFN
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
4-QFN (2x2)
Особенности
Standard
Напряжение СИ
20V
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
13 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
1.5V @ 1mA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
11nC @ 4V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
900pF @ 10V
Выписки ТУ, Datasheet

Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
ПосмотретьMPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!