- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Наборы силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET)
Производитель:
Описание: MOSFET N/P-CH
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Тип
N and P-Channel, Common Drain
Номинальный ток стока при 25 С
54A (Tc), 62A (Tc)
Мощность не более
89W, 132W
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
ISOPLUSi5-Pak™
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
ISOPLUS i4-PAC™
Особенности
Standard
Напряжение СИ
100V
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
24 mOhm @ 38A, 10V, 11 mOhm @ 25A, 10V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
197nC @ 10V, 104nC @ 10V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V
Выписки ТУ, Datasheet

Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!