- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Тип транзистора
npn
Ток коллектора не более
400ma
Напряжение пробоя КЭ не более
60V
Мощность не более
50mW
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
б/к, мод. 2
Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора
0,8V @ 200mA
Ток отсечки не более
10,0µA
Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ
50 / 180
Предельная частота
200MHz
Серия | Производитель | Категория | Производство | Документ | ТУ |
---|---|---|---|---|---|
2Т378Б1-2 N-P-N | Прохладненский завод полупроводниковых приборов | ВП | Производится | ХА3.365.012ТУ | |
2Т378Б1-2 N-P-N | ПЗПП (Прохладненский завод полупроводниковых приборов) | ОТК | Производится | ХА3.365.012ТУ | |
2Т378Б1-2Н N-P-N | Прохладненский завод полупроводниковых приборов | ВП | Производится | ХА3.365.012ТУ; РМ 11091.926 | |
2Т378Б1-2Н N-P-N | ПЗПП (Прохладненский завод полупроводниковых приборов) | ОТК | Производится | ХА3.365.012ТУ; РМ 11091.926-93 | |
2Т378Б1-2Н/ ПК N-P-N | Арсенал КрЗПП | ВП | Производится | АЕЯР.432140.436ТУ; РМ 11 091.926 | |
2Т378Б1-2/ПК N-P-N | Арсенал КрЗПП | ВП | Производится | АЕЯР.432140.436ТУ |
MPN | Серия | Описание | Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора | Ток отсечки не более | Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ | Предельная частота |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!