- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Тип транзистора
npn
Ток коллектора не более
30ma
Напряжение пробоя КЭ не более
10V
Мощность не более
150mW
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
КТ-1-9
Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора
0,4V @ 10mA
Ток отсечки не более
0,5µA
Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ
40 / 120
Предельная частота
800MHz
| Серия | Производитель | Категория | Производство | Документ | ТУ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2Т316Б-5/ПК | Арсенал КрЗПП | ОТК | Производится | АЕЯР.432140.292ТУ, РД 11 0723 | |
| 2Т316Б N-P-N | Светлана - Полупроводники | ВП | Производится | СБ0.336.019ТУ | |
| 2Т316Б ОС N-P-N | Светлана - Полупроводники | ВП | Не производится | СБ0.336.019ТУ; аА0.339.190ТУ | |
| 2Т316Б ОСМ N-P-N | Светлана - Полупроводники | ВП | Производится | СБ0.336.019ТУ; П0.070.052 | |
| 2Т316Б/ПК | Арсенал КрЗПП | ОТК | Производится | АЕЯР.432140.292ТУ |
| MPN | Серия | Описание | Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора | Ток отсечки не более | Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ | Предельная частота |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
