- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
ТУ: И93.456.001ТУ/Д1, И93.456.001ТУ/Д1; аА0.339.190ТУ, И93.456.001ТУ, И93.456.001ТУ/Д6; аА0.339.190ТУ
Manufacturers: ВЗПП-С
2ТС622А
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Тип транзистора
pnp
Ток коллектора не более
400A
Напряжение пробоя КЭ не более
45V
Мощность не более
0,4W
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
401.14-6
Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора
1,3V @ 400mA
Ток отсечки не более
10µA
Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ
25 / 150MHz
Предельная частота
200W
| Series | Manufacturer | Category | Production | Document | ТУ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2ТС622А1 P-N-P | ВЗПП-С | ВП | Produced by | И93.456.001ТУ/Д1 | |
| 2ТС622А1 ОС P-N-P | ВЗПП-С | ВП | Produced by | И93.456.001ТУ/Д1; аА0.339.190ТУ | |
| 2ТС622А P-N-P | ВЗПП-С | ВП | Produced by | И93.456.001ТУ | |
| 2ТС622А ОС P-N-P | ВЗПП-С | ВП | Produced by | И93.456.001ТУ/Д6; аА0.339.190ТУ |
| MPN | Серия | Описание | Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора | Ток отсечки не более | Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ | Предельная частота |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
