- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Тип транзистора
npn
Ток коллектора не более
300A
Напряжение пробоя КЭ не более
30V
Мощность не более
0,5W
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
КТ-2-7
Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора
1,2V @ 350mA
Ток отсечки не более
3,0µA
Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ
20 / 210MHz
Предельная частота
200W
Серия | Производитель | Категория | Производство | Документ | ТУ |
---|---|---|---|---|---|
2Т603И/ИУ N-P-N | Искра | ВП | Производится |
Техническая документация |
АЕЯР.432140.400ТУ |
2Т603И/ИУ ОСМ N-P-N | Искра | ОСМ | Производится | АЕЯР.432140.400ТУ; П0.070.052 |
MPN | Серия | Описание | Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора | Ток отсечки не более | Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ | Предельная частота |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!