- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Напряжение пробоя КЭ не более
80V
Ток коллектора не более
20A
Мощность не более
125W
Тип входного сигнала
Параметры теста
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
КТ-10
Тип
Импульсный ток коллектора
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
Потери на переключение
Заряд затвора
Время задержки переключения при 25 С
Время обратного восстановления
| Series | Manufacturer | Category | Production | Document | ТУ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2Т827Б-2 N-P-N | ФЗМТ | ВП | Not produced | аА0.339.516ТУ | |
| 2Т827Б N-P-N | ФЗМТ | ВП | Produced by | аА0.339.119ТУ |
| MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
