- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Напряжение пробоя КЭ не более
400V
Ток коллектора не более
0,02A
Мощность не более
5,0W
Тип входного сигнала
Параметры теста
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
КТ-2-7
Тип
Импульсный ток коллектора
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
Потери на переключение
Заряд затвора
Время задержки переключения при 25 С
Время обратного восстановления
| Series | Manufacturer | Category | Production | Document | ТУ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2Т505В P-N-P | Группа Кремний Эл | ВП | Produced by | аА0.339.174ТУ/Д1 | |
| 2Т505В ОСМ P-N-P | Группа Кремний Эл | ВП | Produced by | аА0.339.174ТУ/Д; П0.070.052 |
| MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
