- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
45A
Мощность не более
140W
Тип входного сигнала
Параметры теста
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
КТ-97С
Тип
Импульсный ток коллектора
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2,7V @ 12A
Потери на переключение
Заряд затвора
Время задержки переключения при 25 С
Время обратного восстановления
0 / 150 nsec
| Series | Manufacturer | Category | Production | Document | ТУ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2Е802Б | ФЗМТ | ОТК | Not produced | АЕЯР.432140.283ТУ | |
| 2Е802Б БТИЗ | ФЗМТ | ВП | Produced by | АЕЯР.432140.283ТУ |
| MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
