- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
100A
Мощность не более
350W
Тип входного сигнала
Параметры теста
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
б/к, мод. 5
Тип
Импульсный ток коллектора
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2,8V @ 3,0A
Потери на переключение
Заряд затвора
Время задержки переключения при 25 С
Время обратного восстановления
80 / 160nsec
| Series | Manufacturer | Category | Production | Document | ТУ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2Е719А-5 | Ангстрем | ОТК | Produced by | АЕЯР.432140.390ТУ | |
| 2Е719А-5 БТИЗ | Ангстрем | ВП | Produced by | АЕЯР.432140.390ТУ |
| MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
