- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Наборы биполярных транзисторов с изолированными затворами IGBTs
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Схема включения
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
150A
Мощность не более
430W
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
ЮФ.432179.006ГЧ
Тип
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
Ток отсечки не более
Входная емкость при напряжении КЭ
Вход
Термистор с отрицательным ТКС
Серия | Производитель | Категория | Производство | Документ | ТУ |
---|---|---|---|---|---|
2М421Г2 | Группа Кремний Эл | ВП | Производится | АЕЯР.432170.569ТУ |
MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!