- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Наборы биполярных транзисторов с изолированными затворами IGBTs
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Схема включения
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
100A
Мощность не более
500W
Диапазон рабочих температур
Способ монтажа
Типоразмер
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
ЯАВД.432325.017ГЧ
Тип
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
Ток отсечки не более
Входная емкость при напряжении КЭ
Вход
Термистор с отрицательным ТКС
| Series | Manufacturer | Category | Production | Document | ТУ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2М410В1 БТИЗ с каналом N-типа и БВД | Искра | ОТК | Produced by | АЕЯР.432170.404ТУ | |
| 2М410В1 БТИЗ с каналом N-типа и БВД | Искра ОКБ | ВП | Produced by | АЕЯР.432170.404ТУ |
| MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
