- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / JFET транзисторы
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
-
Тип
N-Channel
Мощность не более
238W
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 175°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-247-3
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
PG-TO247-3
Напряжение пробоя
-
Напряжение СИ
1200V (1.2kV)
Ток стока при напряжении ЗИ Vgs
3.3µA @ 1200V
Ток стока не более
35A
Напряжение отсечки ЗИ при токе стока
-
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
2000pF @ 19.5V (VGS)
Сопротивление канала
70 mOhm
Выписки ТУ, Datasheet
MPN | Серия | Описание | Напряжение пробоя | Напряжение СИ | Ток стока при напряжении ЗИ Vgs | Ток стока не более | Напряжение отсечки ЗИ при токе стока | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds | Сопротивление канала |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!