TRS6E65C,S1AQ
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tube
Тип диода
Silicon Carbide Schottky
Обратное напряжение не более
650V
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-220-2
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-220-2L
Среднее значение выпрямленного тока
6A (DC)
Прямое напряжение не более при прямом токе
1.7V @ 6A
Время обратного восстановления
0ns
Ток утечки при обратном напряжении
90µA @ 650V
Емкость при обратном напряжении на частоте
35pF @ 650V, 1MHz
Диапазон рабочих температур перехода
175°C (Max)
| MPN | Серия | Описание | Среднее значение выпрямленного тока | Прямое напряжение не более при прямом токе | Время обратного восстановления | Ток утечки при обратном напряжении | Емкость при обратном напряжении на частоте | Диапазон рабочих температур перехода |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
