Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Bulk
Тип диода
Standard
Обратное напряжение не более
800V
Скорость
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Способ монтажа
Chassis, Stud Mount
Типоразмер
DO-203AA, DO-4, Stud
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
DO-4
Среднее значение выпрямленного тока
12A
Прямое напряжение не более при прямом токе
800mV @ 12A
Время обратного восстановления
500ns
Ток утечки при обратном напряжении
25µA @ 100V
Емкость при обратном напряжении на частоте
-
Диапазон рабочих температур перехода
-65°C ~ 150°C
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Среднее значение выпрямленного тока | Прямое напряжение не более при прямом токе | Время обратного восстановления | Ток утечки при обратном напряжении | Емкость при обратном напряжении на частоте | Диапазон рабочих температур перехода |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!