Производитель: ON Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A TP
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Bulk
Тип диода
Standard
Обратное напряжение не более
600V
Скорость
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TP
Среднее значение выпрямленного тока
1A
Прямое напряжение не более при прямом токе
1.3V @ 1A
Время обратного восстановления
50ns
Ток утечки при обратном напряжении
10µA @ 600V
Емкость при обратном напряжении на частоте
-
Диапазон рабочих температур перехода
150°C (Max)
Выписки ТУ, Datasheet
MPN | Серия | Описание | Среднее значение выпрямленного тока | Прямое напряжение не более при прямом токе | Время обратного восстановления | Ток утечки при обратном напряжении | Емкость при обратном напряжении на частоте | Диапазон рабочих температур перехода |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!