TRS12E65C,S1Q
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Тип диода
Silicon Carbide Schottky
Обратное напряжение не более
650V
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-220-2
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-220-2L
Среднее значение выпрямленного тока
12A (DC)
Прямое напряжение не более при прямом токе
1.7V @ 12A
Время обратного восстановления
0ns
Ток утечки при обратном напряжении
90µA @ 170V
Емкость при обратном напряжении на частоте
65pF @ 650V, 1MHz
Диапазон рабочих температур перехода
175°C (Max)
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
Посмотреть| MPN | Серия | Описание | Среднее значение выпрямленного тока | Прямое напряжение не более при прямом токе | Время обратного восстановления | Ток утечки при обратном напряжении | Емкость при обратном напряжении на частоте | Диапазон рабочих температур перехода |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
