Производитель: GeneSiC Semiconductor
Описание: DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Bulk
Тип диода
Schottky
Обратное напряжение не более
600V
Скорость
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
Twin Tower
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Twin Tower
Схема включения
1 Pair Common Anode
Среднее значение выпрямленного тока на диод
200A (DC)
Прямое напряжение не более при прямом токе
1.7V @ 50A
Время обратного восстановления
110ns
Ток утечки при обратном напряжении
25µA @ 50V
Диапазон рабочих температур перехода
-55°C ~ 150°C
Выписки ТУ, Datasheet
![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Схема включения | Среднее значение выпрямленного тока на диод | Прямое напряжение не более при прямом токе | Время обратного восстановления | Ток утечки при обратном напряжении | Диапазон рабочих температур перехода |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!