RN2110ACT(TPL3)
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Ток коллектора не более
80mA
Напряжение пробоя КЭ не более
50V
Мощность не более
100mW
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
SC-101, SOT-883
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
CST3
Сопротивление резистора в цепи базы R1 Ом
4.7k
Сопротивление резистора в цепи эмиттера R2 Ом
-
Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ
120 @ 1mA, 5V
Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора
150mV @ 250µA, 5mA
Ток отсечки не более
100nA (ICBO)
Предельная частота
-
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
Посмотреть| MPN | Серия | Описание | Сопротивление резистора в цепи базы R1 Ом | Сопротивление резистора в цепи эмиттера R2 Ом | Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ | Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора | Ток отсечки не более | Предельная частота |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
